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南昌大學(xué)國際有序物質(zhì)科學(xué)研究院研究成果取得重要進(jìn)展

作者:國際有序物質(zhì)科學(xué)研究院時間:2022-11-27
攝影 國際有序物質(zhì)科學(xué)研究院 單位 國際有序物質(zhì)研究院
  

本網(wǎng)訊(國際有序物質(zhì)科學(xué)研究院)近日,南昌大學(xué)國際有序物質(zhì)科學(xué)研究院在分子鐵電體大晶體生長和機電耦合系數(shù)表征方面的研究取得了重要進(jìn)展,相關(guān)成果以“Inch-Size Molecular Ferroelectric Crystal with a Large Electromechanical Coupling Factor on Par with Barium Titanate”為題發(fā)表于J. Am. Chem. Soc.。

早在2017年,東南大學(xué)分子鐵電研究團(tuán)隊游雨蒙教授等就發(fā)現(xiàn)了一例高壓電性分子鐵電體三氯合鎘酸三甲基氯甲基銨(TMCM-CdCl3),其壓電系數(shù)d33達(dá)到了220 pC/N,與無機陶瓷鈦酸鋇(BTO)相當(dāng),這一成果同年發(fā)表于頂級期刊Science上。然而,當(dāng)時由于晶體尺寸較小,該材料的機電耦合系數(shù)k33一直難以準(zhǔn)確表征。機電耦合系數(shù)反映了機械能與電能相互轉(zhuǎn)換的效率,對壓電材料的實際應(yīng)用至關(guān)重要。例如,醫(yī)用超聲成像探頭要求壓電材料同時具有高的d33和k33以獲得寬廣的探測范圍和高的圖像分辨率。已報導(dǎo)的分子鐵電體的k33一直遠(yuǎn)低于無機陶瓷BTO(0.5)和鋯鈦酸鉛(0.54~0.75),大大限制了它們的應(yīng)用。為精確測定分子鐵電體的機電耦合系數(shù),需要對單晶進(jìn)行定向切割出特定的形狀,因此首先要獲得大尺寸的分子鐵電單晶。于是,南昌大學(xué)國際有序物質(zhì)科學(xué)研究院研究團(tuán)隊與江西海源復(fù)合材料科技股份有限公司開展合作,設(shè)計開發(fā)儀器設(shè)備來生長大塊分子鐵電晶體。通過反復(fù)試驗和改進(jìn),最終摸清了通過溶液降溫法生長TMCM-CdCl3大單晶的條件參數(shù)。經(jīng)過幾年的不懈努力,團(tuán)隊已經(jīng)能夠生長出英寸級大小的TMCM-CdCl3分子鐵電單晶,三維尺寸達(dá)到36 × 30 × 19 mm3,如圖1所示。

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圖1. (a)大塊TMCM-CdCl3分子鐵電單晶;(b)不同規(guī)格的晶柱和晶片

在成功制備大尺寸單晶的基礎(chǔ)上,還需要結(jié)合分子鐵電體的對稱性和壓電系數(shù)矩陣,獲得特定方向和尺寸的晶體切片,才能對它的機電耦合系數(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確表征。南昌大學(xué)國際有序物質(zhì)科學(xué)研究院科研人員呂慧鵬經(jīng)過近一年的摸索,對TMCM-CdCl3晶體進(jìn)行定向和切割,得到符合測試標(biāo)準(zhǔn)的晶柱和晶片(圖1b),并利用動態(tài)諧振法測定了它們的機電耦合系數(shù)。圖2a展示了TMCM-CdCl3晶柱明顯的諧振行為,經(jīng)過測算其k33達(dá)到了0.483,遠(yuǎn)大于經(jīng)典的分子壓電體硫酸三甘氨酸(TGS, k33~0.11)和壓電聚合物聚偏氟乙烯(PVDF, k33~0.2),甚至接近于無機壓電陶瓷BTO(k33~0.5, 圖2b)。并且,高質(zhì)量的大塊單晶使得壓電系數(shù)d33進(jìn)一步提高到383 pC/N,超越了此前報道的數(shù)值。此外,TMCM-CdCl3在其他振動模式下同樣具有高的機電耦合系數(shù)k31和k15 (0.624和0.423),壓電系數(shù)d31和d15(176和667 pC/N)也超越以往。TMCM-CdCl3還表現(xiàn)出柔性特征,其彈性模量和硬度(13.03和0.60 GPa)接近于BTO的十分之一。

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圖2. (a)TMCM-CdCl3晶柱的諧振行為; (b) TMCM-CdCl3與其他壓電材料機電耦合系數(shù)k33的對比

這一工作展現(xiàn)出分子鐵電體TMCM-CdCl3高的機電耦合系數(shù),這賦予其在柔性、便攜和可穿戴壓電器件巨大的應(yīng)用前景。同時,本工作對進(jìn)一步探索高機電耦合系數(shù)分子鐵電材料具有積極的推動作用。

論文鏈接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.2c11213



編    輯:付自強

責(zé)任編輯:許  航

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